InGaN/GaN ışık yayan diyotların kuantum verimlerinin araştırılması / Nuri Can; tez danışmanı Prof.Dr.Ali Teke.

Tez (Dok)--Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı.

Kaynakça var.

Bu tez çalışmasında InGaN/GaN hetero ve kuantum yapılı ışık yayan diyotların kuantum verimliliklerinin geliştirilmesi amaçlanmıştır. Buna yönelik olarak, büyütme yaklaşımlarının ve yapısal tasarımların kuantum verimliliği üzerine etkiyen temel farktörleri belirlemek ve tanımlamak amacıyla dört farklı örnek grubu incelenmiştir. İlk olarak, InGaN/GaN kuantum yapılarında deltakatkılı InGaN kuantum bariyerler kullanılarak tabaka kalitesinden ödün verilmeden aktif bölge içerisindeki deşik konsantrasyonunu arttırmak suretiyle deĢik enjeksiyonunu verimliliğinin geliĢtirilmesi hedeflenmiĢtir. Ġkinci olarak, 1,5, 2 ve 3 nm InGaN kuantum kuyu kalınlıklarına sahip üç farklı ıĢık yayan diyotun sıcaklığa bağlı rekombinasyon dinamikleri, aktif bölge boyutsallığı ve iç kuantum verimlilikleri incelenmiĢtir. IĢınsal ömrün sıcaklığa bağlılığından (trad a TN/2) N aktif bölge boyutsallığının kuantum kuyusunun artması ile tutarlı olarak azaldığı gözlenmiştir. 3 nm kalınlığındaki kuyular 3-boyutlu yapıya, 1.5 ve 2 nm kalınlığındaki kuyular 2-boyutlu yapıya ait özellikleri taşıdığı gözlenmiştir. Üçüncü olarak, safir alttaşn c ve m-düzlemleri üzerine büyütülen ( ̅ ) yarı polar InGaN yapılardaki indiyum katılma verimlilikleri kuantum sınırlı Stark etkisi dikkate alınarak yüksek uyarma yoğunluklarında FL spektrumlarının karşılaştırılmasıyla incelenmiştir. Son olarak, büyütme doğrultusu boyunca kusurların yayılmasını engelleyen nano-gözenekli SiNx ara tabakaların eklenmesi ile, ( ̅ ) semipolar GaN yapıların optiksel ve yapısal kaliteleri araĢtırılmıĢtır. Nano-gözenekli SiNx ile büyütülen ( ̅ ) GaN örnekler için oda sıcaklığı fotolüminesans (FL) Ģiddeti, aynı kalınlıklı fakat SiNx tabakaların olmadığı referans örneklere kıyasla 4 kat daha yüksek olduğu gözlenmiştir.