| 000 | 01762nam a2200265 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 008 | 160808 tu a 000000 tur d | ||
| 035 | _a(OCoLC) | ||
| 040 |
_aBAUN _btur _cBAUN |
||
| 049 | _aBAUN_MERKEZ | ||
| 050 | 0 | 4 |
_aTez/ QC _bAkç 2016 |
| 100 |
_aAkçakaya, Hüseyin _9101994 _4aut |
||
| 245 | 1 | 0 |
_aNextnano³ simülasyon programı ilke (IN) N kanallı iki boyutlu yapıların büyütme parametrelerinin belirlenmesi / _cHüseyin Akçakaya; tez danışmanı Prof.Dr.Sibel Gökden. |
| 260 |
_aBalıkesir: _bBalıkesir Üniversitesi, _c2016. |
||
| 300 |
_a53 yaprak : _btablo ; _c30 cm. |
||
| 502 | _aTez (Yük)--Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı. | ||
| 504 | _aKaynakça var. | ||
| 520 | _aBu çalışmada InN kanallı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak iki boyutlu elektron yoğunluğunu artırmaya yönelik optimum büyütme parametrelerinin belirlenmesi araştırılmıştır. 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemleri, In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN ve In1- xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyN tekli kuantum kuyulu yapılar için çözüldü. Bu yapılarda, InN kuyu ve GaN ara tabaka kalınlıklarının, bariyer tabakadaki Al mol yüzdesinin ve InAlN bariyer katkılanmasının, iletim enerji bant yapılarına, olasılık ve elektron yoğunluklarına etkisi araştırılmıştır. | ||
| 610 | 2 | 0 |
_aBalıkesir Üniversitesi _xDissertations. |
| 650 | 0 |
_aPhysics _91654 |
|
| 700 | 1 |
_9102041 _aGökden,Sibel _4ths |
|
| 710 | 2 |
_918608 _aBalıkesir Üniversitesi _bFen Bilimleri Enstitüsü |
|
| 856 | _uhttp://dspace.balikesir.edu.tr/xmlui/bitstream/handle/20.500.12462/2909/TEZERT180620.pdf?sequence=3&isAllowed=y | ||
| 907 | _aBalıkesir Üniversitesi. | ||
| 942 | _cTEZ | ||
| 999 |
_c39383 _d39383 |
||