000 03000nam a2200265 4500
008 170314 tu a 000000 tur d
035 _a(OCoLC)
040 _aBAUN
_btur
_cBAUN
049 _aBAUN_MERKEZ
050 0 4 _aTez/ QC
_bCan 2016
100 _aCan, Nuri.
_980891
_4aut
245 1 0 _aInGaN/GaN ışık yayan diyotların kuantum verimlerinin araştırılması /
_cNuri Can; tez danışmanı Prof.Dr.Ali Teke.
260 _aBalıkesir:
_bBalıkesir Üniversitesi,
_c2016.
300 _a82 yaprak :
_btablo ;
_c30 cm.
502 _aTez (Dok)--Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı.
504 _aKaynakça var.
520 _aBu tez çalışmasında InGaN/GaN hetero ve kuantum yapılı ışık yayan diyotların kuantum verimliliklerinin geliştirilmesi amaçlanmıştır. Buna yönelik olarak, büyütme yaklaşımlarının ve yapısal tasarımların kuantum verimliliği üzerine etkiyen temel farktörleri belirlemek ve tanımlamak amacıyla dört farklı örnek grubu incelenmiştir. İlk olarak, InGaN/GaN kuantum yapılarında deltakatkılı InGaN kuantum bariyerler kullanılarak tabaka kalitesinden ödün verilmeden aktif bölge içerisindeki deşik konsantrasyonunu arttırmak suretiyle deĢik enjeksiyonunu verimliliğinin geliĢtirilmesi hedeflenmiĢtir. Ġkinci olarak, 1,5, 2 ve 3 nm InGaN kuantum kuyu kalınlıklarına sahip üç farklı ıĢık yayan diyotun sıcaklığa bağlı rekombinasyon dinamikleri, aktif bölge boyutsallığı ve iç kuantum verimlilikleri incelenmiĢtir. IĢınsal ömrün sıcaklığa bağlılığından (trad a TN/2) N aktif bölge boyutsallığının kuantum kuyusunun artması ile tutarlı olarak azaldığı gözlenmiştir. 3 nm kalınlığındaki kuyular 3-boyutlu yapıya, 1.5 ve 2 nm kalınlığındaki kuyular 2-boyutlu yapıya ait özellikleri taşıdığı gözlenmiştir. Üçüncü olarak, safir alttaşn c ve m-düzlemleri üzerine büyütülen ( ̅ ) yarı polar InGaN yapılardaki indiyum katılma verimlilikleri kuantum sınırlı Stark etkisi dikkate alınarak yüksek uyarma yoğunluklarında FL spektrumlarının karşılaştırılmasıyla incelenmiştir. Son olarak, büyütme doğrultusu boyunca kusurların yayılmasını engelleyen nano-gözenekli SiNx ara tabakaların eklenmesi ile, ( ̅ ) semipolar GaN yapıların optiksel ve yapısal kaliteleri araĢtırılmıĢtır. Nano-gözenekli SiNx ile büyütülen ( ̅ ) GaN örnekler için oda sıcaklığı fotolüminesans (FL) Ģiddeti, aynı kalınlıklı fakat SiNx tabakaların olmadığı referans örneklere kıyasla 4 kat daha yüksek olduğu gözlenmiştir.
610 2 0 _aBalıkesir Üniversitesi
_xDissertations.
650 0 _aPhysics
_91654
700 1 _981878
_aTeke, Ali
_4ths
710 2 _918608
_aBalıkesir Üniversitesi
_bFen Bilimleri Enstitüsü
856 _uhttp://dspace.balikesir.edu.tr/xmlui/bitstream/handle/20.500.12462/3072/TEZERT181219.pdf?sequence=2&isAllowed=y
907 _aBalıkesir Üniversitesi.
942 _cTEZ
999 _c41847
_d41847