Balıkesir Üniversitesi
Kütüphane ve Dokümantasyon Daire Başkanlığı

Nextnano³ simülasyon programı ilke (IN) N kanallı iki boyutlu yapıların büyütme parametrelerinin belirlenmesi /

Akçakaya, Hüseyin

Nextnano³ simülasyon programı ilke (IN) N kanallı iki boyutlu yapıların büyütme parametrelerinin belirlenmesi / Hüseyin Akçakaya; tez danışmanı Prof.Dr.Sibel Gökden. - Balıkesir: Balıkesir Üniversitesi, 2016. - 53 yaprak : tablo ; 30 cm.

Tez (Yük)--Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı.

Kaynakça var.

Bu çalışmada InN kanallı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak iki boyutlu elektron yoğunluğunu artırmaya yönelik optimum büyütme parametrelerinin belirlenmesi araştırılmıştır. 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemleri, In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN ve In1- xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyN tekli kuantum kuyulu yapılar için çözüldü. Bu yapılarda, InN kuyu ve GaN ara tabaka kalınlıklarının, bariyer tabakadaki Al mol yüzdesinin ve InAlN bariyer katkılanmasının, iletim enerji bant yapılarına, olasılık ve elektron yoğunluklarına etkisi araştırılmıştır.


Balıkesir Üniversitesi--Dissertations.


Physics

Tez/ QC / Akç 2016
Bizi Sosyal Medyada Takip Edin