-baunlogo.png?alt=media&token=2b1f50b7-298a-48ee-a2b1-6fcf8e70b387)
Nextnano³ simülasyon programı ilke (IN) N kanallı iki boyutlu yapıların büyütme parametrelerinin belirlenmesi / Hüseyin Akçakaya; tez danışmanı Prof.Dr.Sibel Gökden.
Yayın ayrıntıları:Balıkesir: Balıkesir Üniversitesi, 2016.Tanım: 53 yaprak : tablo ; 30 cmKonu(lar): LOC sınıflandırması:- Tez/ QC Akç 2016
| Materyal türü | Ana kütüphane | Koleksiyon | Yer numarası | Durum | İade tarihi | Barkod | Materyal Ayırtmaları | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tez
|
Mehmet Akif Ersoy Merkez Kütüphanesi Tezler Bölümü | Non-fiction | Tez/ QC Akç 2016 (Rafa gözat(Aşağıda açılır)) | Ödünç Verilmez | 040610 |
Tez (Yük)--Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı.
Kaynakça var.
Bu çalışmada InN kanallı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak iki boyutlu elektron yoğunluğunu artırmaya yönelik optimum büyütme parametrelerinin belirlenmesi araştırılmıştır. 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemleri, In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN ve In1- xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyN tekli kuantum kuyulu yapılar için çözüldü. Bu yapılarda, InN kuyu ve GaN ara tabaka kalınlıklarının, bariyer tabakadaki Al mol yüzdesinin ve InAlN bariyer katkılanmasının, iletim enerji bant yapılarına, olasılık ve elektron yoğunluklarına etkisi araştırılmıştır.
Bu materyal hakkında henüz bir yorum yapılmamış.
Resim görüntüleyicisi'nde görüntülemek için resim üzerine tıklayınız
-Facebook-2024.png?alt=media&token=2fcc0655-0091-431c-8ee0-059464d6eda1){kind=small}
-Instagram-2024.png?alt=media&token=a143a92a-6f9d-45a7-9ba2-9cc62f92e772){kind=small}